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    單晶定向的切割方法

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    單晶定向的切割方法

    發布日期:2016-05-23 00:00 來源:http://www.northstl.com 點擊:

        單晶定向在現代工業中廣泛應用射線照相和計算機實時成像技術來發現工件內部存在的缺陷,分析其形成的原因的規律,評價這些缺陷對工件使用性能的影響,以便改進設計或工藝,進一步提高產品質量,降低生產成本,避免惡性事故的發生。



        各向異性是晶體的本征特性, 即晶體在不同方向上具有不同的光學、電學、力學等物理性能, 在應用時, 根據使用目的不同, 須對晶體進行不同的定向切割. 例如, 要制作性能優異的Si 壓力傳感器 , 須利用 Si 單晶在( 001) 面上的 110 方向壓阻效應大的特性, 定向切割出 Si( 001) 面, 并在此面上標出 110 方向, 在此面上, 沿著 110 方向制作電阻. AgGaSe 2 晶體. 一般采用自發成核 Bridgman 方法生長, 生長出的晶錠無明顯方向特征, 要研究 AgGaSe 2 晶體對 粒子的探測性能, 須定向切割出( 001) 面. 


        晶體定向方法很多, 如光象法 、錐光圖法、勞埃定向法 以及近年來利用定向儀發展的幾種快速定向法等. 光象法、錐光圖法應用非常局限, 精度很差, 且無法定向切割出任意晶面. 勞埃法雖然很經典、適用性廣, 但定向過程十分繁瑣、費時, 對操作者要求有較豐富的經驗. 利用定向儀的幾種快速定向法, 具有較強的實用性, 但要定向切割出任意晶面, 其操作過程也很繁瑣. 


        我們發展了一種僅需已知晶體某一晶面, 即能定向切割出所需任意晶面( 或晶向) 的方法, 定向切割操作快速、準確、簡捷. 



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