• 歡迎訪問丹東新東方晶體儀器有限公司官網!

    熱門搜索:藍寶石晶體定向單晶定向單晶材料

    icon1.png好品質            icon2.png好材料            icon3.png好服務

    新聞分類

    產品分類

    聯系我們

    丹東新東方晶體儀器有限公司

    聯系人:張經理

    電 話:0415-6172363   13304155299

    傳 真:0415-6181014

    郵 箱:xdf@ddxdf.com

    網 址:www.northstl.com

    地 址:遼寧丹東環保產業園區A-050號

    郵 編:118000

    半導體碳化硅(SiC)單晶材料的發展史

    您的當前位置: 首 頁 >> 新聞中心 >> 公司新聞

    半導體碳化硅(SiC)單晶材料的發展史

    發布日期:2020-03-04 09:37 來源:http://www.northstl.com 點擊:

    半導體碳化硅(SiC)單晶材料的發展史,簡單介紹了半導體SiC單晶材料的結構與性質,對物理氣相傳輸法(PVT)制備SiC單晶做了描述,詳細介紹了SiC單晶中的微管、多型和小角晶界等重要缺陷,同時對SiC單晶材料的發展趨勢進行了展望。

    以硅(Si)、砷化鎵(GaAs)為代表的一代和二代半導體材料的高速發展,推動了微電子、光電子技術的迅猛發展。然而受材料性能所限,這些半導體材料制成的器件大都只能在200℃以下的環境中工作,不能滿足現代電子技術對高溫、高頻、高壓以及抗輻射器件的要求。作為第三代寬帶隙半導體材料的代表,碳化硅(SiC)單晶材料具有禁帶寬度大(~Si的3倍)、熱導率高(~Si的3.3倍或GaAs的10倍)、電子飽和遷移速率高(~Si的2.5倍)和擊穿電場高(~Si的10倍或GaAs的5倍)等性質。SiC器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領域和航天、軍工、核能等環境應用領域有著不可替代的優勢,彌補了傳統半導體材料器件在實際應用中的缺陷,正逐漸成為功率半導體的主流。


    碳化硅單晶材料設備

    相關標簽:單晶材料

    Z近瀏覽:

    熱推產品  |  主營區域: 北京 上海 廣州 深圳 天津 重慶 南京 沈陽 丹東
    在線客服
    分享
    中国一级黄色毛片,毛片永久新网址首页,国产老女人的自拍视频,黄色录像十分钟一级毛片,欧美三级与拘杂交在线观看