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    半導體碳化硅單晶激光定向

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    半導體碳化硅單晶激光定向

    發布日期:2020-04-29 09:21 來源:http://www.northstl.com 點擊:

    目前,半導體的研究和生產所用的材料仍以硅、鍺及化合物半導體為主。它們的結構主要是金剛石,閃鋅礦和纖維礦結構。晶體的鮮明的特點是各個方向性質不同。即具有各向異性的特點。在不同的晶軸方向,它們的物理性能,化學性能差別非常大。例如:晶面的法向生長速度,腐蝕速度。雜質的擴散速度,氧化速度,以及晶面的解理特性等等,都由于晶體的取向不同而不同。況且在科研和生產中,由于我們制造的器件使用目的不同。往往也要求我們所用基片的半導體材料的晶向不同。所以我們需首先對晶軸進行定向。

    測定晶體取向有解理法,X 射線勞埃法,X 射線衍射法和光學反射圖象法等多種方法。

    其中光學反射圖象法是目前生產中廣泛使用的方法。這個方法較為簡便,能直接進行觀測,而且在測定低指數晶面時精確度相當好。

    本實驗的目的,就是要了解光學反射圖象法測定單晶晶面的原理,通過使用碳化硅定向儀掌握測定硅單晶的(111),(100)晶面的定向技術。

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